中科院辟谣光刻机

介绍科技传闻背后的真相：光刻技术的迷雾与真相

近期，科技领域频频传出关于光刻技术的热议，其中涉及中科院发布的论文以及雄安所谓的“光刻机工厂”传闻。在众多的声音和传闻背后，究竟隐藏着怎样的真相？让我们一竟。

关于那篇引发广泛关注的《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的论文，被部分媒体解读为“中国突破5nm芯片制造技术”的重大进展。论文的通讯作者刘前明确表示，这项技术实际上应用于光掩膜制作环节，并非大家所期待的极紫外光（EUV）光刻技术。国产光刻技术的实际水平仍停留在180nm阶段。尽管光掩膜精度的提升可以间接推动整体工艺进步，但这并不能替代光刻机的核心技术。这一澄清为我们揭示了科技进步的实质，也让我们看到了科技传播中可能出现的误区。

紧接着，关于雄安“光刻机工厂”的传闻也引发了广泛关注。网络传闻称，“清华大学EUV项目在雄安落地国产光刻机工厂”。中国电子工程设计院迅速辟谣，指出该项目实为“北京高能同步辐射光源”（HEPS），这是一个用于微观科学研究的同步辐射装置，并非大家所期待的光刻机生产线。HEPS计划于2025年底投入运行，主要服务于物理、化学等基础科学领域的研究。这一信息的澄清让我们了解到科技进步背后的真实情况，也让我们看到了信息传播中可能出现的误差。

在光刻机技术的争议中，仍与产业实际进展存在一定的信息差。部分观点认为“中国无法突破光刻机技术”，这些观点大多源于个人的看法，而尚未见到中科院官方的直接回应。这也提醒我们，在科技领域的每一个进展背后，都有无数的科研人员在默默付出努力。作为公众，我们也应理性看待科技传闻，不盲目跟风，以客观的态度看待科技进步。

科技领域的每一次进步都值得我们关注与期待，但在关注的我们也要保持理性，不被传闻和误解所迷惑。只有深入了解真相，才能更好地理解科技进步的实质与意义。